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本文以石墨烯的场效应晶体管为研究对象，针对器件的接触电阻和沟道迁移率进行了研究，所取得的主要研究成果包括：⑴对石墨烯器件存在的滞回效应曲线进行了研究，得到电荷被陷阱捕获过程中存在着两种时间尺度的时间常数，分别对应快速的界面层陷阱捕获与较慢的氧化层陷阱捕获，而被界面层捕获的陷阱电荷量跟栅压存在线性关系，随着栅压大小的减少而被释放。由以上过程，实现了石墨烯双阻态器件更短的充电时间效果。⑵研究了减少石墨烯-金属接触电阻的方法，首先对比了不同金属接触的优劣及其退火后的影响，发现采用退火前的钯金可以得到较小的接触电阻，接着分析了双面接触，臭氧紫外处理方法的可行性，探讨了石墨烯均匀性对接触电阻提取的影响，最后创新地提出采用蒸发牺牲金属处理的方法，改变接触区的石墨烯表面，使接触电阻减低至75Ω·μm。⑶研究了减少沟道区掺杂进而提高迁移率的方法，利用二甲基乙酰胺(ZDMAC)溶液处理石墨烯的沟道区，去除了工艺过程中遗留在石墨烯沟道区的杂质残留，改善了石墨烯狄拉克点电压位置，减少了残留载流子浓度，器件迁移率大小从831 cm2/Vs提高到1488 cm2/Vs，提高了近80％。