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目的： 探索缺氧损伤后中介素IMD(intermedin)对大鼠肾小球内皮细胞rRGECs(ratrenalglomerularendothelialcells)血管生成的影响及机制。 方法： 1.常规情况下培养、传代rRGECs;2.将RGECs随机分为2组：I.正常对照组（N组）：二氧化碳培养箱（5%CO2+95%空气）中培养；II.缺氧组：三气培养箱（5%CO2+90%N2+5%O2)中培养，缺氧6h[1，2]；并随机分为5组;①缺氧组(H组)；②缺氧+IMD组(M0组)：在缺氧组基础上加入IMD(0.1ymol/L)[1];③缺氧组+IMD+PD98059组(M1组)：制作缺氧+IMD组前培养基中加入胞外信号调节激酶(extemalSignalRegulatedKinase，ERK)酶抑制剂（PD98059，5uM)[3]；④缺氧+IMD组+LY-294002组(M2组)：制作缺氧+IMD组前培养基中加入磷脂酰肌醇-3激酶(Phosphatidylinositol3Kinase，PDK)酶抑制剂（LY-294002，100uM)[3]；⑤缺氧+IMD组+L-NAME组(M3组)：制作缺氧+IMD组前培养基中加入一氧化氮合酶(NitricOxideSynthase，NOS)酶抑制剂(L-NAME，10uM)[3];3.用MTT(噻唑蓝)比色法检测各组细胞增殖情况；4.小管形成实验检测管腔样结构成环数、分支数、管腔长度；5.Westernblot法检测PI3K、AKT、eNOS总蛋白及磷酸化水平；6.Westernblotting法检测血管内皮生长因子(vascular endothelial growth factor，VEGF)、内皮钙黏蛋白（vascular endothelial cadherin，VE-cadherin)、磷酸化血管内皮细胞生长因子受体2(phosphorylation vascular endothelial growth factor receptor2，p-VEGFR2)蛋白表达。 结果： (1)rRGECs存活率检测：与正常对照组相比，缺氧组、IMD组吸光度值下降；但IMD组较缺氧组各组吸光度值均升高，差异有统计学意义（p<0.05)；与M0组相比，MI组、M2组吸光度值均降低，p<0.05，M3组无明显变化；与M1组相比，M2组吸光度值无差异，M3组吸光度值升高，p<0.05;与M2组相比，M3组吸光度值升高，p<0.05。（2)管腔样结构检测：正常对照组、缺氧组、IMD组管腔样结构成环数、分支数、管腔长度依时间梯度12小时、24小时和48小逐渐下降，p<0.05。随着时间延长，内皮细胞间连接逐渐松弛，管腔样结构逐渐退化，48小时管腔样结构基本崩解，三组各指标均无差异。24小时内，与正常对照组相比，缺氧组、IMD组三者均下降，p<0.05;与缺氧组相比，IMD组管腔样结构分支数、管腔长度、成环数增多，p<0.05，IMD组较缺氧组程度轻，p<0.05;48h三组实验结果无明显差异；与M0组相比，MI组管腔成环数减低，M2组、M3组管腔样结构长度、分支数均降低，p<0.05;与M1组相比，M2组、M3组管腔成环数增高，管腔样结构长度、分支数均降低，p<0.05;与M2组相比，M3组管腔样结构长度、分支数均增高，p<0.05。（3)IMD诱导血管生成信号转导通路变化情况：与正常对照组相比，缺氧组、IMD组VEGF表达均增多，p<0.05;IMD组：M0组、MI组、M2组、M3组彼此无差异；与正常对照组相比，缺氧组、IMD组VE-cadherin表达均降低，p<0.05，但IMD组VE-cadherin表达较缺氧组增多，IMD组间VE-cadherin表达无差异；与正常对照组相比，缺氧组、IMD组p-VEGFR2表达均增多，p<0.05，与缺氧组相比，M2组p-VEGFR2表达无差异，M0、MI、M3组p-VEGFR2表达减少，p<0.05，与M0组相比MI、M3组p-VEGFR2表达无差异，M2组表达增多，p<0.05，与M1组相比，M2组p-VEGFR2表达增多，p<0.05，M3组p-VEGFR2表达无差异；与M2组相比，M3组p-VEGFR2表达减少，p<0.05;与正常对照组相比，缺氧组、IMD组p-ERK1/2表达减少，p<0.05，与缺氧组相比，M0、M2、M3组p-ERK1/2表达增多，且彼此间无差异，而M1组表达减少，与M0组相比M1组p-ERK1/2表达减少，p<0.05，M2、M3组p-ERK1/2表达无差异，与M1组相比M2、M3组p-ERK1/2表达增多，p<0.05，与M2组相比M3组p-ERK1/2表达无差异；与正常对照组相比，缺氧组、IMD组p-PI3K表达减少，与缺氧组相比，M0、M1、M3组p-PI3K表达增多，M2组表达减少，与M0组相比M1、M3组p-PI3K表达无差异，M2组p-PI3K表达减少，p<0.05;与M1组相比M2组p-PI3K表达减少，p<0.05；M3组表达无差异，与M2组相比M3组p-PI3K表达增多，p<0.05；与正常对照组相比，缺氧组、IMD组p-eNOS表达均减少，与缺氧组相比，p<0.05，M0、M1、M2组p-eNOS表达增多，M3组表达减少，p<0.05，与M0组相比M1组p-eNOS表达无差异，M2、M3组p-eNOS表达减少，p<0.05，与M1组相比，M2、M3组p-eNOS表达减少，与M2组相比M3组p-eNOS表达减少，p<0.05。 结论： 缺氧可降低rRGECs存活率，IMD在缺氧条件下可作用于ERK、PI3K/AKT通路增加rRGECs存活率，减轻缺氧损伤，而eNOS通路不参与这一过程；缺氧会刺激rRGECsVEGF产生增多、p-VEGFR2表达增多，IMD对VEGF表达无影响；IMD能够上调缺氧rRGECs VE-cadherin表达，降低p-VEGFR2表达；阻断PI3K通路则p-VEGFR2表达增多，机制可能是IMD通过作用于VE-cadherin/VEGFR2/PI3K复合物，减弱了VEGFR2的磷酸化，从而减弱rRGECs对VEGF刺激的应答反应，进而抑制过度出芽；IMD在诱导缺氧损伤rRGECs管腔扩增需激活ERK1/2，但不会限制血管萌发；IMD作用于PI3K/AKT/eNOS信号级联促进缺氧损伤rRGECs血管的长度及分支等生长；IMD通过对VE-cadherin和下游PI3K/AKT/eNOS和ERK1/2通道的调控，促进血管正常化生成。同时PI3K/AKT是eNOS的上游信号通路，但并非唯一通路。