【摘 要】
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随着信息技术的高速发展，人们对磁存储密度的要求与日俱增。磁性纳米线阵列作为未来超高密度垂直磁记录介质的理想选择受到了人们的关注，而采用多孔氧化铝膜为模板进行纳米线的
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随着信息技术的高速发展，人们对磁存储密度的要求与日俱增。磁性纳米线阵列作为未来超高密度垂直磁记录介质的理想选择受到了人们的关注，而采用多孔氧化铝膜为模板进行纳米线的组装设计更是成为了当今纳米材料研究领域的一个热点。本文就此领域分别在以下几个方面进行了研究：
1．详细研究了高度有序多孔阳极氧化铝模板的制备工艺，采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)观察了氧化铝膜纳米孔的形貌，讨论了影响孔洞有序分布的各种因素，研究了氧化铝膜自组织生长机理。实验结果发现：经过抛光、退火等预处理工艺可以在大范围内提高氧化铝模板有序度；氧化铝膜孔道内电解液的流动有利于维持温度的恒定，提高模板有序度；二次氧化法比一次氧化法更容易得到理想的有序分布的纳米孔阵列。
2．采用电沉积法制备了钴、镍、钴／镍多层纳米线阵列。利用SEM观察纳米线阵列的形貌，结果表明纳米线具有很好的线性结构。通过X射线衍射仪(XRD)分析得知：镍纳米线中Ni的晶体结构为面心立方(FCC)，晶粒取向无序；钴纳米线中Co的晶体结构为六角密堆积结构(HCP)，晶粒取向无序，对Co纳米线阵列进行热处理后Co晶粒的C轴与纳米线长轴方向一致。
3．采用无电镀沉积法在氧化铝模板孔洞中沉积了Co-P合金纳米线阵列。X射线衍射分析表明此Co-P合金纳米线为非晶态。能谱图分析(EDS)显示Co与P的原子个数比为54.08：6.45。比较了无电镀沉积和电沉积两种纳米线制备方法的优劣性，无电镀沉积法制备的样品更均匀，但其反应机理使它制备的纳米线材料受到很大限制，应用范围大大缩小。
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