Co、Cu共掺杂ZnO薄膜的制备及性质研究

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【摘要】

：

氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ﹣Ⅵ族直接宽带隙半导体,室温下带隙为3.37eV,激子束缚能高达60meV,稳定的晶体结构是六角纤维锌矿结构,晶格常数a=0.3249nm,c=0.5206nm。ZnO具有优异的物理化学性质,特别是具有优良的光电,压电,气敏特性,在紫外探测器、磁存储器、半导体集成电路、半导体激光器、表面声波器件及太阳能电池等领域有重要的应用价值。随着科学技术的迅速发展,对蓝光和紫光等短波长

【作者】

：

吴定才

【机构】

：

四川师范大学

【发表日期】

：

2010年01期

【关键词】

：

ZnO薄膜溶胶-凝胶法共掺杂光致发光磁性

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