【摘 要】
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HgI探测器的性能关键是取决于材料本身和器件的制备工艺.因此该论文在生长了高纯、高阻、高质量的HgI单晶后,制备了HgI晶体器件,并研究了表面处理、老化,电极制备,封装等器件
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HgI<,2>探测器的性能关键是取决于材料本身和器件的制备工艺.因此该论文在生长了高纯、高阻、高质量的HgI<,2>单晶后,制备了HgI<,2>晶体器件,并研究了表面处理、老化,电极制备,封装等器件制备工艺对器件性能的影响.该文中采用"真空冷指升华法"制备基本组成原料高纯(6N)碘(I<,2>)及"三温区气相合成法"合成碘化汞(HgI<,2>)多晶原料,真空区域升华法提纯碘化汞,最后采用"三温区气相定点成核法"生长HgI<,2>晶体,通过化学计量分析,XRD,拉曼光谱,紫外吸收光谱,红外吸收光谱验证了该文所用的HgI<,2>(碘化汞)单晶具备了制备室温辐射探测器的等级要求.通过微电统计、SEM、AFM、XPS等手段研究探索了HgI<,2>半导体探测器的器件特性与制备工艺的关系,研究了HgI<,2>晶体的表面腐蚀、老化的机理以及电极接触.
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