【摘 要】
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本文研究YVO晶体和Nd:YVO晶体中存在的缺陷以及引起缺陷的原因.为生长过程减少或消除这些缺陷提供指导.本文主要从以下几个方面展开工作：1.综述了钒酸钇晶体以及掺钕钒酸钇晶
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本文研究YVO<,4>晶体和Nd:YVO<,4>晶体中存在的缺陷以及引起缺陷的原因.为生长过程减少或消除这些缺陷提供指导.本文主要从以下几个方面展开工作：1.综述了钒酸钇晶体以及掺钕钒酸钇晶体的发展历史和科研进展.2.采用液相合成钒酸钇原料粉末.3.本文首次运用同步辐射白光形貌术和双日衍射手段分析钒酸钇晶体内部的位错走向及其分布,揭示了晶体内部的包裹体是位错形成的主要原因;采用热腐蚀和化学腐蚀的手段并借助显微镜和电子探针等技术分析了晶体内部位错的密度以及位错腐蚀坑与晶体结构的对应关系;采用X光电子能谱技术分析了钒酸钇晶体内部的钒元素价态变化情况.4.我们认为,包裹体是引起其它缺陷的重要原因.它可以在晶体内部诱导出位错;引起局部应力区域;甚至使晶体开裂.为此,本文对包裹体进行精确分析.结合白光形貌和电子探针技术鉴别包裹体的存在,在此基础上,利用电子探针的定量分析确定包裹体区域元素的含量.得出包裹体的形成不但与外来杂质有关,而且也与内部元素的偏离化学计量有关.针对后者,本文采用XPS技术准确地鉴定出了钒元素的价态变化,证明包裹体的成因不但与五氧化二钒的挥发有关,同时也与五氧化二钒的分解有关.低价钒的形成则主要是由于熔体中局部温度变化造成的.
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