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半导体量子阱的杂质离子可以位于量子阱的中心或偏离中心一定的距离d.该文采用绝热近似和打靶法,求解了施主杂质态的薛定谔方程,研究体系能谱的变化规律.首先,我们研究了无限深的、宽度为零的量子阱中的杂质态.得出如下结论：（1） 每个能级都因为杂质距离d的增加而单调地增高.（2）具有相同角动量的能态具有相似的变化规律.其次,我们研究了无限深的、宽度a不为零的情况下半导体量子阱中的杂质态.使用绝热近似和打靶法,龙格-库塔法等数值计算方法得到了精度较高的数值解.最后,计算了基态结合能.该文实际提供了一种新的求解施主杂质态的薛定谔方程的数值计算方法.