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多晶硅发射极的使用不仅增大了双极晶体管的直流增益,而且为双层多晶硅自对准(DPSA)结构的实现提供了可能,DPSA结构能减小Bipolar的面积,制造高速高性能的Bipolar,已经被广泛的应用于当今先进的Si Bipolar/BiCMOS和SiGe Bipolar/BiCMOS集成电路中.该论文对双层多晶硅自对准双极工艺和BiCMOS工艺做了初步研究.