【摘 要】
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半导体键合技术是集成光电子领域中的一种很有效的工艺手段.该论文系统的研究了InP/InP、InP/GaAs和GaAs/GaAs的直接键合技术的工艺步骤和影响因素,在该实验室实现了加热温度
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半导体键合技术是集成光电子领域中的一种很有效的工艺手段.该论文系统的研究了InP/InP、InP/GaAs和GaAs/GaAs的直接键合技术的工艺步骤和影响因素,在该实验室实现了加热温度低于650℃情况下三种结构的直接键合,并从多个角度对键合质量进行了评价.为了防止半导体器件在高温的健合过程中发生退化,论文工作集中到了设法将健合温度降低到650℃以下.通过改进清洗工艺、降低晶片厚度、加大键合压力、改善压力均匀性等方法,最终做到了这一点.论文中详细的讨论了实验得到的各种键合界面的电特性.键合界面的机械强度和单晶材料相当,能够经受住各种加工工艺.扫描电镜下观察的键合界面有很好的形貌,键合界面不明显,气泡极少且小.在用透射电镜照的键合界面高分辨原子象和衍衬像上,观察到了直接键合界面特有的周期性刃位错和应变.成份分析在键合界面上没有发现明显的杂质.论文最后比较了一个InGaAsP多量子阱激光器结构在健合一块InP衬底前后的特性.在用MOCVD生长的InGaAsP多量子阱结构的P型外延面上直接健合一块P-InP衬底后制作成的条形电极激光器能够激射,并有较好的特性.
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