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集成电路进入纳米时代，集成电路设计技术和制造技术联系紧密。集成电路制造技术在不断挑战人类的智慧。在芯片制造和良率逐渐触及物理瓶颈的今天，一个新的领域---可制造性技术诞生了。可制造性技术的两个关键问题光刻和化学机械研磨。在考虑这些变化因素下，通过增添设计流传，优化算法和版图结构，使得芯片可制造性提高。
本文所关注的是大马士革工艺下化学机械研磨。随着微纳集成电路时代的晶圆面积越来越大，关键尺寸越来越小，化学机械研磨不仅影响集成电路平整度，对电路性能的影响越来越显著。
本文提出了一种新颖的优化化学机械研磨平整度和集成电路电性能的方法。从金属图形平坦性的研究出发，研究不同的版图对平整性的影响，利用冗余金属，特别是特殊图形冗余金属和电介质填充解决当前问题。将金属图形和金属密度有效结合，并引入冗余有效影响区域的概念，以代替当前主要的金属密度填充策略。本文从电路性能和平整度方面对这些冗余单元进行研究，提出一系列的填充策略降低填充冗余金属带来的电容增加，达到平整度和电性能的最优化。