【摘 要】
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绝缘膜正常电现象在集成电路芯片低能电子束检测方面具有可以利用的前景.采用简化的表面电位分布模型,通过数值方法计算了二次电子从正带电绝缘物表面发射后的运动轨迹,分析
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绝缘膜正常电现象在集成电路芯片低能电子束检测方面具有可以利用的前景.采用简化的表面电位分布模型,通过数值方法计算了二次电子从正带电绝缘物表面发射后的运动轨迹,分析了初始条件和电位分布形态对轨迹特性的影响.在轨迹计算和考虑二次电子发射概率分布的基础上得到了二次电子受局部电场作用而返回表面时的最大初始动能、分布规律.在此基础上,通过绝缘物表面照射微区和衬底之间的有效电容,获得了表面电位和二次电子信号电流在表面电荷积累过渡过程中随照射条件的变化关系,建立了电子束照射覆盖有绝缘膜的IC芯片时形成静态电容衬度的理论模型.从理论上分析了电子束照射条件和芯片内部形貌、材料参数对静态电容衬度的影响,解释了最近在扫描电境实验中的最大衬度现象及其对应的最佳电子照射条件.
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