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由于基于集成铁电薄膜的不挥发性存储器具有非挥发性、快速读写、高集成度、高可靠性、低功耗、强抗辐射能力以及与IC工艺的兼容性等优异特性,近年来对它的研究工作格外引人关注.该论文从集成铁电电容在不挥发性存储器件的应用出发,研究了集成铁电不挥发性存储器和不挥发性逻辑的分析、设计和实现方法.
集成铁电不挥发性存储器及不挥发性逻辑电路的分析和设计
【摘 要】
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由于基于集成铁电薄膜的不挥发性存储器具有非挥发性、快速读写、高集成度、高可靠性、低功耗、强抗辐射能力以及与IC工艺的兼容性等优异特性,近年来对它的研究工作格外引人
【机 构】
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复旦大学
【出 处】
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复旦大学
【发表日期】
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1999年期
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