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来源 :中国科学院研究生院 中国科学院大学 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
可靠性是GaNHEMT实现产品化的瓶颈,探索器件失效机理是提升器件可靠性的基础。本论文从制约器件可靠性的潜在因素入手,开展器件可靠性评价和失效机理的相关研究工作,并取得如
【作 者】
:
王鑫华
【机 构】
:
中国科学院大学
【出 处】
:
中国科学院研究生院 中国科学院大学
【发表日期】
:
2012年期
【关键词】
:
GaN HEMT器件
可靠性评价
失效机理
逆压电效应
CV曲线
拉曼散射
界面热阻
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