【摘 要】
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该文系统定量地研究了AIO坩埚对生长Bi-2212单晶的污染问题;发现和确定了飘浮在熔体表面的富铝化合物及其成分.对AI进入Bi-2212晶格的数量及其对超导转变温 度的作了定量的分
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该文系统定量地研究了AI<,2>O<,3>坩埚对生长Bi-2212单晶的污染问题;发现和确定了飘浮在熔体表面的富铝化合物及其成分.对AI进入Bi-2212晶格的数量及其对超导转变温 度的作了定量的分析.研究了采用自助熔剂缓慢降温法生长超导Bi-2212单晶的结晶温度范 围.较小结晶温度范围可以缩短了生长周期,同时少了坩埚对晶体的污染.研究了初始原料配比,温度梯度对Bi-2212晶体生长的影响.研究了由于少量添加剂的引入而产生的熔体表 面张力改变对结晶效果的影响.研究了在同一个坩埚中Bi-2212晶体Tc的统计分布.总结了 以上的研究结果,提出了今后生长Bi-2212单晶的设想.该工作另一个重要结果是首次提出 利用材料热膨胀产生的位移进行晶体提拉生长的方法并建立了相应的装置.
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