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本论文首先对硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)，的光反射吸收、光致发光、介电特性、电子结构特征等物理性能进行了系统地详细研究；并通过微乳匀胶技术和原位多相化学反应技术实现了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体硫化镉在Si-NPA上的位置选择性沉积，获得了四类具有不同结构特征的、大面积均匀的、规则的半导体异质结阵列体系(CdS/Si-NPA)，并对它们的光学性能进行了讨论。