【摘 要】
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该论文由以下几部分组成:一、概述了InP基材料系的"能带工程"及在光纤通信中的特殊地位.二、对用MOCVD技术制备InAs/InP量子点的方法作了介绍;在以往研究的基础上,用气相外延
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该论文由以下几部分组成:一、概述了InP基材料系的"能带工程"及在光纤通信中的特殊地位.二、对用MOCVD技术制备InAs/InP量子点的方法作了介绍;在以往研究的基础上,用气相外延生长时生长界面的形貌与平衡蒸汽压的关系,分析了GaAs/InP上自组装InAs量子点有序生长的机理.理论和实验结果符合.三、量子阱混合(无序)技术是实现OEIC、PIC的一个主要工艺,通过在InGaAsP/InP多量子阱材料上采用不同的方法,制备了不同InGaAsP/InP多量子阱材料的包封源.四、该文首次提出在制作行波半导体光放大器时,利用张角和倾角相结合的方式抑制激射,使器件的阈值电流有了很大的提高.发展并利用了张压应变交替生长作有源区,改善行波半导体光放大器的偏振灵敏性.
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