【摘 要】
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由于量子点结构独特的光电特性,对应变自组织量子点材料生长、物理性质及器件应用的研究是目前世界上最前沿的课题之一.该论文利用MBE技术制备了高质量的GaAs基InAs和InAlAs/
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由于量子点结构独特的光电特性,对应变自组织量子点材料生长、物理性质及器件应用的研究是目前世界上最前沿的课题之一.该论文利用MBE技术制备了高质量的GaAs基InAs和InAlAs/AlGaAs量子点材料,通过原子力显微镜、光致发光亦和透射电子显微镜等实验手段系统、深入地研究了量子眯的光学特性和生长机理,并且成功地研制了InAlAs/AlGaAs红光量子点激光器,取得了一些有意义的结果.
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