【摘 要】
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该文对采用下降法生长的大尺寸PWO晶体的光学不均匀性和掺杂效应进行了研究.大尺寸PWO晶体纵向的不均匀性是影响晶体性能提高的最根本的因素之一.该文选取了较多数量的纯晶体
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该文对采用下降法生长的大尺寸PWO晶体的光学不均匀性和掺杂效应进行了研究.大尺寸PWO晶体纵向的不均匀性是影响晶体性能提高的最根本的因素之一.该文选取了较多数量的纯晶体和不同掺杂的大尺寸晶体,通过测试其横向的光学吸收谱(间距1cm),系统地研究了晶体在As grown状态,退火以后以及紫外和Co<60>源辐照下晶体光学性能的变化.由此初步清楚了不均匀性的主要来源及其解决方法.同时认为高温退火对于均匀性的提高只是一种补救的手段,而非根本性的因素.认识到紫外辐照、Co<60>辐照感应吸收谱与辐照前的吸收谱不是简单的因果关系.不同的掺杂晶体的抗辐照损伤能力是遵循不同的规律.根据对大量的晶体光输出和透过率的测试、辐照对比实验,对于S组和L组采用的不同的掺杂及掺杂量,不同的退火方式,进行了优选.同时根据两组所采用的炉子结构和工艺特点的对比,解释了双方晶体的差异性.认为S组晶体的要电在于尽可能地防止铅挥发,抑制生长加速度,提高晶体的生长完整性.L组晶体的要电在于去除于有害Si以及提高固液界面的温度梯度.对大量晶体的测试分析结构还表明,提高360nm,420nm处的透过率,能提高抗辐照损伤能力.辐照在360nm,420nm处透过率的损失同光损失有线性关系,可以用测量透过率的方法判定晶体的光损失.
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