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低噪声放大器在任何微波接收系统中都处于前端位置,决定整机的接收灵敏度和噪声性能.高性能微波低噪声电路设计的关键在于深亚微米高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制.该论文研究了用普通光学曝光研制深亚微米HEMT器件的新方法,以及微波低噪声电路的设计.所得到的主要成果如下:1、研究了使用普通光学曝光制作深亚微米线条的"边栅"方法.并利用该方法研制成功0.1μm和0.25μm InGaP/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT),以及0.25μm InAlAs/InGaAs应变结构高电子迁移率晶体管(MHEMT).该方法较低的工艺研制成本、短的研制周期以及高的性能指标为低成本毫米波HEMT以及其电路研制提供了一条新的途径.2、提出了具有"边栅"特点深亚微米栅长HEMT器件的小信号参数模型.并在此基础上,通过分析噪声模型中各等效电路元素与最小噪声系数的关系,提取了具有"边栅"特点深亚微米栅长HEMT器件的噪声模型.该模型对深亚微米以至纳米级栅长器件的研制具有参考价值.3、从与器件工艺兼容的角度提出了一种具有"节点"结构的电感形式,改善了电感制作中由于线圈金属较差的粘附性造成的金属脱落现象.4、利用0.25μm InGaP/InGaAs PHEMT设计了2.5GHz和10GHz两种低噪声放大器电路.经过模拟,根据新"边栅"工艺研制的深亚微米HEMT器件所设计的LNA获得了很好的仿真结果.电路在端口50欧姆匹配时,2.5GHz LNA小信号增益为34dB,噪声系数为0.3dB;10GHz LNA小信号增益为26.3dB,噪声系数为1.25dB.