【摘 要】
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功率模块作为电力电子设备的核心元件,其性能将直接决定装置的性能。相比传统Si基器件,宽禁带碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体器件具有小结电容、快的开关速度和低的损耗,可显著提高装置的开关频率、提升装置的功率密度。因此,已广泛应用于航空、船舶、汽车等领域。但是,SiC器件的高开关速度将产生更高dv/dt和di/dt,在功率模块内部寄生参数的影响下器件将产生更高的电压应力、振荡、EMI干扰、开关
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功率模块作为电力电子设备的核心元件,其性能将直接决定装置的性能。相比传统Si基器件,宽禁带碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体器件具有小结电容、快的开关速度和低的损耗,可显著提高装置的开关频率、提升装置的功率密度。因此,已广泛应用于航空、船舶、汽车等领域。但是,SiC器件的高开关速度将产生更高dv/dt和di/dt,在功率模块内部寄生参数的影响下器件将产生更高的电压应力、振荡、EMI干扰、开关损耗和误导通等挑战。所以研究如何降低碳化硅功率模块封装寄生参数得到干净的开关波形已成为碳化硅器件推广及应
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