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SOI电路与传统的体硅电路比较起来，具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点，特别在抗辐照加同电路中SOI的全介质隔离技术具有天然优势。随着移动通信、手提电脑等便携式电子产品的发展，集成电路在功耗和体积方面的要求越来越高，SOI将成为实现低压、低功耗的主流技术。在半导体产业的大家族中，静态随机存取存储器(SRAM)由于其广泛的应用而倍受重视，由于其自身的低功耗和高速度的优势而成为半导体存储器中不可或缺的一类重要产品。由于SOI技术本身具有良好的抗辐照性能和较小的寄生电容，在静态随机存取存储器(SRAM)中得到广泛应用，采用SOI CMOS工艺比采用传统体硅CMOS工艺做成的SRAM在周期时间和总体性能分别提高了20％和30％左右[1]。
本文共分为五章。第一章绪论简单叙述了本文课题的米源，简单介绍了SOI技术及SRAM的基本概念。第二章介绍了SOI MOS器件特性，包括SOI器件的背栅效应、短沟道效应、Kink效应、寄生双极品体管效应、自加热效应及抗辐射特性。第三章介绍了SOI主要材料制备方法及耗尽型SOIMOSFET器什浮体效应的抑制方法。第四章介绍了CMOS/SOI SRAM电路和版图设计，对SOI SRAM各单元电路进行了研究、设计，重点对地址变化探测器电路(ATD)进行了详细的分析、研究；设计了一款基于SOI CMOS工艺的2K位(256×8)的异步静态随机存取存储器。第五章对论文进行总结。