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微细加工技术是当代微电子和微电、机系统(MEMS)的基础.光刻和光致抗蚀剂是细加工技术中关键技术和关键材料.化学增幅光致抗蚀剂是当今光致抗蚀剂研究的前沿和重点.该论文结合该实验室的前期工作,深入研究一种其于甲酚醛树脂-六甲氧基甲基三聚氰(HMMM)体系的水性负型化学增幅光致抗蚀剂.该论主评语不当前前沿光刻技术198-nm光刻中的光致抗蚀剂所采用的主体树脂及光敏产酸物的进展进行了评述.