尼龙(超)薄膜结晶的片晶取向问题的研究

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本文运用原子力显微镜(AFM)、掠入射X射线衍射(GI-XRD)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SA-ED)等手段,研究了在固态基底上和刚性受限环境中尼龙6和尼龙46薄膜结晶所形成的片晶取向,系统地考察了薄膜厚度、基底性质、结晶温度等因素对薄膜中片晶取向的影响。本研究主要内容包括:  ⑴在亲水基底Si-OH上,随着薄膜厚度的降低,尼龙6的晶体形貌逐渐由二维球晶转变为片晶的束状聚集结构。对膜厚小于50 nm的超薄膜,可观察到纤维状晶体和束状晶体混合的形貌。在中性基底Si-C或者疏水基底Si-OTCS上,尼龙6薄膜的形貌与亲水基底类Si-OH相似;但在超薄膜中,出现了明显的不浸润现象。GI-XRD的表征说明,当薄膜厚度大于50nm时,基底性质的改变不影响片晶取向,尼龙6结晶形成α型晶体,片晶为长条状(lath-like),片晶取向以Edge-on为主,且氢键面(ab面,b轴为分子链轴)与基底平行,口、b轴绕c*轴呈各向同性分布。这表明尼龙6晶体中表面自由能最低的ab面倾向于暴露在自由表面上,导致产生有利于Edge-on取向的晶核,而Edge-on片晶沿a轴方向的快速生长消耗了大部分熔体,抑制了Flat-on取向片晶的形成。当薄膜厚度小于50 nm时,尼龙6的片晶取向表现出一定程度的基底性质依赖性。在Si-OH上,尼龙6仍以ab面平行于基底的Edge-on取向为主。以亲水性较差的Mica-C为基底,SA-ED的结果表明,薄膜中部分α型晶体倾向于采取Flat-on取向。当膜厚约为30nm时,虽然所用结晶温度不利于尼龙6的γ型晶体生长,但在Mica-C基底上可观察到Flat-on取向的γ型单晶。尼龙6的γ晶型具有假六方对称性,在薄膜中可以形成大面积表面平整的Flat-on片晶,有利于降低薄膜体系的自由能。  ⑵在亲水基底Si-OH上,尼龙46的薄膜形貌与尼龙6类似,随着膜厚的降低,形貌逐渐由二维球晶转变为片晶的束状聚集结构。膜厚低于100 nm时,可观察到束状晶体和倾向于平躺的片晶堆积的混合形貌,Flat-on取向的片晶出现在薄膜靠近基底的部分。在中性基底Si-C和疏水基底Si-OTCS上,尼龙46超薄膜有严重的不浸润现象。GI-XRD实验表明表明,尼龙46薄膜的片品取向有明显的基底性质依赖性。在亲水基底Si-OH上,薄膜中同时含有Edge-on和Flat-on取向的片晶。Edge-on片晶的晶体结构为单斜,氢键面(ab面,b轴为分子链轴方向)平行于基底。对Flat-on取向,除了观察到具有单斜结构的片晶以外,还发现有部分片晶的衍射符合尼龙46三斜晶体的特征,与尼龙66的α晶型类似。在疏水基底Si-OTCS上,尼龙46的片晶取向则以Edge-on为主。与尼龙6相比较,亲水基底Si-OH上尼龙46薄膜中出现了更多的Flat-on片晶。不同于尼龙6片晶的折叠面由疏水的烷基链段构成,尼龙46的链折叠部分中含有未成氢键的酰胺基,可与亲水基底Si-OH形成氢键相互作用,这应是其Flat-on取向的片晶增多的主要原因。SA-ED的结果表明,当Miea-C上的尼龙46薄膜厚度低于50 nm时,可以观察到假六方的单晶衍射,单晶采取Flat-on取向。在Brill转变温度之上,尼龙46可以形成假六方的高温相,一维受限环境有利于在降温过程中“冻结”这种结构。  ⑶在尼龙薄膜的表面旋涂一层聚酰亚胺,可获得了具有“三明治”结构特点的“基底-尼龙-聚酰亚胺”样品。所用聚酰亚胺的玻璃化转变温度为270~280℃,可为尼龙6和尼龙46薄膜结晶提供(准)刚性受限环境。考察(准)刚性受限结晶发现,尼龙6薄膜中片晶以Edge-on取向为主。在疏水基底Si-OTCS上,尼龙46也仍以Edge-on为主。在亲水基底Si-OH上,随着膜厚的降低,可以观察到尼龙46片晶取向从Edge-on转变为完全的Flat-on,这是在尼龙薄膜中首次发现完全Flat-on取向的可能性。“三明治结构”可以改变尼龙46薄膜上层界面的性质,降低分子链运动性和Edge-on成核结晶速度,有利于形成Flat-on取向片晶。
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