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目的:探讨高频、低频重复经颅磁刺激(rTMS)治疗对单相抑郁症患者局部脑内代谢物质的影响，并进一步探讨局部脑内代谢物质的变化与抑郁症状改善程度的关系。 方法:40例单相抑郁症患者随机分组，高频rTMS组(n=20)予左侧前额叶rTMS治疗，低频rTMS组(n=20)予右侧前额叶rTMS治疗。在治疗前、治疗4周末使用汉密尔顿抑郁量表(HAMD)评定两组的抑郁状况，利用氢质子磁共振波谱(1H-MRS)检测高频、低频rTMS组抑郁症患者前额叶N-乙酰天门冬氨酸(NAA)、谷氨酸(Glx)、胆碱复合物(Cho)及肌酸(Cr)4种代谢物，分别计算NAA、Glx、Cho与Cr的比值，并分别与正常对照组(n=20)进行比较;治疗4周末复查2组抑郁症患者脑内各项生化指标。 结果:1、高频rTMS组治疗前左侧前额叶皮质NAA/Cr、Glx/Cr显著低于对照组(t=4.927，P＜0.001;t=5.836，P＜0.001)，右侧前额叶皮质NAA/Cr显著低于对照组(t=4.804，P＜0.01)。2、低频rTMS组治疗前左侧前额叶皮质NAA/Cr、Glx/Cr显著低于对照组(t=4.514，P＜0.001;t=4.943，P＜0.001)，右侧前额叶皮质NAA/Cr显著低于对照组(t=3.763，P＜0.05)。3、高频rTMS组治疗后左侧NAA/Cr、Glx/Cr，右侧NAA/Cr，较治疗前明显升高，(t=-6.69，P＜0.001;t=-18.20，P＜0.001;t=-6.17，P＜0.001);低频rTMS组治疗后左侧NAA/Cr、Glx/Cr，右侧NAA/Cr，较治疗前明显升高，(t=-2.93，P＜0.05; t=-4.40，P＜0.05; t=-3.10，P＜0.05)。4、治疗后高频、低频rTMS组HAMD量表评分均低于治疗前，差异有显著性(t=19.907，P＜0.001; t=23.885，P＜0.001)。5、高频rTMS组左侧前额叶NAA/Cr、Glx/Cr变化值与HAMD减分率呈正相关(r=0.573，P＜0.05; r=0.697，P＜0.01);低频rTMS组左侧前额叶NAA/Cr、Glx/Cr，右侧前额叶NAA/Cr变化值与HAMD呈正相关(r=0.760，P＜0.01; r=0.629, P＜0.05; r=0.572, P＜0.05)。 结论:抑郁症患者双侧前额叶NAA及左侧前额叶Glx水平降低，高、低频rTMS均可升高其水平，这可能是rTMS具有抗抑郁作用的途径之一。