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近年来，CMOS技术由于其低成本，低功率，高度可集成性等优点已经在射频集成电路设计中获得广泛使用，而且随着栅极长度的持续降低以及工作频率的增加，MOSFET已然成为射频集成电路应用中的宠儿。在整个电路设计周期中，为了能够准确预测在给定频带内射频集成电路的性能并缩减设计周期，设备的模型是起决定性作用的。
本文中，对40GHz以下的MOSFET测试结构中的焊盘提出了一种新的建模方法。这种方法将传统的等效电路模型和神经网络技术结合起来。通过对不同尺寸和不同工作频率下的焊盘的S参数进行电磁仿真来获得焊盘电容和串联电阻的具体值，焊盘的每个寄生参量都作为一个子神经网络进行建模，故焊盘电容和串联电阻可以使用子神经网络模型来表征为焊盘尺寸和工作频率的函数。神经网络模型的结果和仿真数据的结果吻合的很好。为了消除寄生参量的影响，我们使用上述模型对MOSFET设备进行了去嵌操作。
本文也对130nm的MOSFET的小信号等效电路模型进行了神经网络建模，这个模型是将小信号等效电路模型和神经网络结合以便获得更高的精度。通过对比模型和测试数据的结果发现两者的匹配度很好，这就验证了所提模型的准确性。