【摘 要】
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ZnO是具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙多功能半导体材料,它具有多种优良的物理性能,在声表面波、透明电极、光电器件、蓝紫光器件等方面都有较大的应用潜力,因此受到科研人员
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ZnO是具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙多功能半导体材料,它具有多种优良的物理性能,在声表面波、透明电极、光电器件、蓝紫光器件等方面都有较大的应用潜力,因此受到科研人员的高度重视.该文采用射频等离子体新型MOCVD系统,在蓝宝石C面和R面衬底上生长出了高质量的ZnO薄膜,同时还详细研究了退火和掺杂对ZnO薄膜特性的影响,获得了高阻和弱p型ZnO薄膜.该论文的具体研究内容及创新点如下:1.参与了用于ZnO薄膜生长的等离子体新型MOCVD系统的设计和组装.2.在国内首次利用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长出了高质量的ZnO薄膜.3.研究了不同条件下的退火对ZnO薄膜结构及发光性能的影响.4.在国内第一次以醋酸锂为掺杂剂,通过热扩散研究了C面蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜的掺杂特性.5.在国内第一次以NH<,3>气为掺杂剂,研究了对蓝宝石R面上ZnO薄膜的掺杂行为.
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