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GaN基LED凭借其可控的全色光谱能隙以及优良的物理化学性能,已逐步成为新一代绿色照明光源。为了获得真正意义上的高品质白光LED照明光源,需要采用全LED混光来实现,需要采用红、绿、蓝三基色(RGB)的全LED混光来实现,但是目前绿光的发光效率远远落后于蓝光和红光LED,学术界称之为“Green gap”,这也成为实现RGB白光光源的主要技术瓶颈。因此,进一步提升绿光LED的光功率成为近几年LED领域的研究热点。基于硅衬底LED技术平台,本文在保持p-GaN总体厚度不变的情况下通过改变靠近最后一个量子阱的电子阻挡层(EBL)AlGaN的厚度,较为系统地研究了电子阻挡层对硅衬底绿光LED的光功率(LOP)和工作电压(VF2)的影响,另外经过长时间对p-GaN中Mg掺杂浓度的跟踪和外延薄膜表面形貌的观察以及大量LED在老化过程中IR变化实验进行了总结。主要获得了以下研究成果:1、硅衬底GaN基绿光LED外延片薄膜在保持p层总体厚度不变的情况下对靠近最后一个量子阱的电子阻挡层(EBL)AlGaN厚度的进行了优化及可靠性实验,结果表明,p-AlGaN厚度为200?及P-InGaN厚度为400?的样品D具有更高的光功率(LOP),且光电性能稳定。并对其在大电流时光功率提高进行了解释:大电流密度下随着p-AlGaN的减薄使得该区域的电场增强,导致电子的有效势垒高度增加和空穴有效势垒高度减小。2、Mg掺杂浓度偏多会使芯片电压偏高,因此需对P-GaN的掺Mg进行简便有效地监控。经过长期测试发现,p-GaN中Mg掺杂浓度偏高时在10μm*10μm的原子力显微镜(AFM)扫描范围内台阶流不明显,而且会出现一些像小山丘一样的凸起。并用二次离子质谱仪(SIMS)对Mg元素进行了深度剖析,结果显示有凸起出现的样品中Mg的掺杂浓度确实偏高。因此提出用AFM方法快捷方便地监控Mg的掺杂量。3、通过光电参数控制严格筛选出IR有差别的芯片,在大量老化实验中发现IR小于0.05μA时筛选的芯片老化过程中相对稳定,通过加载300V的静电后可以筛选出高质量的芯片,IR在0.05μA至0.1μA范围内的芯片老化过程中IR的稳定性没有前者高,而且只有加载1000V及以上的静电后才能筛选出相对较好的芯片,IR在0.1μA至1μA内的芯片老化效果较差,并且很难选出好的芯片。为筛选出的稳定性好的芯片,建议点测时加相对小的静电和分选时控制IR在较小的的范围内相结合的方法进行筛选。