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铁电聚合物聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)共聚物P(VDF/TrFE)及聚偏氟乙烯均聚物(PVDF)是目前研究和应用最广的有机铁电材料，P(VDF/TrFE)薄膜在存储器方面有着巨大的应用前景，但在其器件化的过程中存在着诸多的问题，主要集中在器件的操作电压和可读写次数方面。
文章在研究其他在降低操作电压和提高材料疲劳性的研究成果后提出降低铁电薄膜极化翻转电压及提高极化翻转次数即疲劳特性的有效方法。K．Kimura、Y． Taiitsu和A．Limbong等人在各自的报道中都表述了在薄膜厚度下降到100 nm以下后，极化值的急剧减少，在本实验中当P(VDF/TrFE)薄膜厚度下降到50 nm时，由于有效的PEDOT/PSSH界面层的作用在25℃下矫顽电压仅2.6 V，剩余极化高达88 mC/m2，并且具有很好的高温稳定性60℃下的操作电压仅提高0.1V剩余极化仍达68 mC/m2，使用类似的Ppy/PSSH界面的样品也得到了相近的结果，通过与其他无界面的样品的比较充分证明了此种方法在降低操作电压和提高材料疲劳性的有效性。由于在室温下的优良性能，对今后在存储器方面的应用带来了极大的希望。最后，文章介绍了铁电材料在铁电随机存储器应用方面的应用，并结合现阶段发展的主要困难，提出聚合物铁电材料在存储器应用上的广阔前景。