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本文根据自主研制的用于制备SiC一维纳米材料的可控气氛炉内的空间尺寸以及通气方式，设计了四种不同结构的CVD反应室，并基于CFD原理，使用Fluent软件对这四种反应室内的温度场及气流场进行了模拟分析，确定了一种最优结构的CVD反应室，针对该反应室，本文还模拟了其内部各气相组分的分布对SiC沉积速率的影响规律，并与实验进行了对比，其结果是一致的。另外，针对SiC制备过程中常用的Cu，Fe，Ni，Pt等金属催化剂，本文使用Castap软件通过计算Cu，Fe，Ni，Pt的（100），（110）和（111