【摘 要】
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该论文结合国内外最新研究动态,根据80年代中期发展起来的应变SiGe/Si异质结构和超晶格理论,在分析总结国内外有关台面型纵向pin结构应变SiGe/Si多量子阱光电探测器研究成果
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该论文结合国内外最新研究动态,根据80年代中期发展起来的应变SiGe/Si异质结构和超晶格理论,在分析总结国内外有关台面型纵向pin结构应变SiGe/Si多量子阱光电探测器研究成果基础上,首次提出将应变SiGe/Si材料特性、Fabry-Perot谐振腔光场增强吸引效应和pin光电探测器原理等有机结合在一起,利用UHV/CVD锗硅外延工艺和CMOS工艺流水在SOI衬底上制作与SOI/CMOS具有良好兼容性的横向pin结构锗硅近红外光电探测器,设计了合理的版图和工艺步骤,通过工艺流水,成功制作出具有预期特性的管芯.该论文还从半导体基本方程和应变Si<,1-x>Ge<,x>/Si材料特性出发,提出了器件的工作原理,在合理近似基础上,得出了器件特性参数的解析表达式,证明了器件结构的优点和有效性.为了验证、补充实验和理论分析结果,用SILVACO半导体器件模拟软件,对结构和工艺数据对器件性能的影响进行了模拟分析,获得了与理论和实验相一致的结果,为进一步深入研究提供了指导和参考.
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