【摘 要】
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利用脉冲激光淀积工艺,成功制备出具有一定保持力的铁电存储二极管,实现了铁电存储器件的非易失性存储和非破坏读出.主要研究内容如下:1.根据激光诱导等离子体特性,详细研究
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利用脉冲激光淀积工艺,成功制备出具有一定保持力的铁电存储二极管,实现了铁电存储器件的非易失性存储和非破坏读出.主要研究内容如下:1.根据激光诱导等离子体特性,详细研究了脉冲激光原位淀积铁电薄膜的成膜原理,在此基础上,提出脉冲激光淀积工艺的优化原则,确定了铁电存储二极管中铁电层的制备方案;2.根据铁电薄膜制备中的工艺需要,以激光束的旋转取代衬底的旋转,以四靶靶台取代单靶靶台,改进了激光淀积系统,成功实现了多层铁电薄膜的一次性原位淀积;3.采用SEM微观分析技术对铁电薄膜的结晶性能、晶粒、晶界、截面及界面状况进行了考察;4.建立了MFS结构的pp异质结能带模型,在此基础上定性分析了极化型存储场合下的C-V特性,并从实验上详细研究了影响C-V特性的主要因素;5.详细研究了FMD的I-V特性,对铁电薄膜中的可能的导电机制进行了初步探讨;6.深入研究了FMD的I-V特性中的回滞现象,系统分析了铁电存储效应,探讨了FMD的存储与读取机制,详细进行了读写特性的测试;7.初步研究了FMD的疲劳特性、保持特性和imprint特性,对实验现象进行了较为合理的解释.
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