【摘 要】
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该文根据功率SITH的大电流、高电压特性,从功率器件对封装条件的特殊要求出发,全面讨论了1500V~2000V/100A电力SITH的封装问题.详细论述了正、反面电极的制备方法,深入研究了
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该文根据功率SITH的大电流、高电压特性,从功率器件对封装条件的特殊要求出发,全面讨论了1500V~2000V/100A电力SITH的封装问题.详细论述了正、反面电极的制备方法,深入研究了合金化过程中金属薄膜与硅反应生成的金属硅化物对薄膜方块电阻的影响,给出了形成低阻欧姆接触的最佳合金化条件.对器件的散热问题做了理论上的分析,并依据分析的结果,选取了SITH的键合引线、烧结焊料及封装管壳,制定了引线键合及烧结条件,提出了SITH封装的可行性方案.
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