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本论文针对晶体面缺陷的图像处理，发展并完善了原本用于位错核心结构测定的解卷处理方法和衍射振幅校正技术，提出用椭圆形窗口进行傅里叶滤波和衍射强度积分，在去除噪音的同时尽量保留界面缺陷的信息。用改进后的方法成功恢复出Si{111}孪晶模拟场发射高分辨像的原子结构。研究发现用稍偏离真实离焦量的值进行解卷处理，可对衬度传递函数的零截点效应进行一定的补偿。根据像衬度随样品厚度的变化以及赝弱相位物体近似像衬理论，通过解卷和衍射振幅校正分辨出3C-SiC薄膜中Si、C原子位置，确定了观察区域(110)面上晶体的生长方向为[001]而非[00-1]。分别恢复出该薄膜中一个30°不全位错核心和微孪晶的原子组态，确定此30°不全位错核心插入的半原子面终止于C原子，孪晶界面为180°旋转对称，模拟像衬度分别与各自实验像符合得好。
对若干张Si[110]球差校正场发射高分辨像进行解卷处理，恢复出Si晶体投影结构，可分辨间距为0.136nm的原子。表明解卷方法也适用于球差校正高分辨像的图像处理。
用高分辨像选区傅里叶变换的方法，区别开V掺杂超导体La2Cu1-x(VO)xO4+δ中的取向畴。研究了在弱电子束辐照下，超导体富空穴区域中的无公度调制结构及样品空间对称性的变化。