【摘 要】
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LSMCD()技术自1992年问世以来,就引起了各国科学家的广泛关注.至今为止,已经成功制备出了多种铁电薄膜,如PZT、(Ba,Sr)TiO等.该文系统地研究了采用LSMCD技术制备PLT(镧钛酸铅
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LSMCD()技术自1992年问世以来,就引起了各国科学家的广泛关注.至今为止,已经成功制备出了多种铁电薄膜,如PZT、(Ba,Sr)TiO<,3>等.该文系统地研究了采用LSMCD技术制备PLT(镧钛酸铅)薄膜的工艺,并着重分析了各种因素对其相结构的影响和薄膜的形成过程.采用MOD工艺的先体溶液,在沉积阶段,抛弃了甩胶工艺,创新地使用超声波雾化,有效地解决了薄膜厚度不均匀的难题.产生的微米级尺寸的气雾,由载气引入沉积室内,沉积在基片上;然后在沉积室中进行预热处理;重复此过程直至膜达到所需厚度,最后再进行退火处理.退火温度、退火方式以及基片的选择对PLT薄膜的相结构有很大的影响:在保证PbO不挥发的情况下,退火温度越高,薄膜的结晶越好;采用混合热处理(RCA)制备的薄膜晶粒尺寸较大,形成了连续致密的薄膜,而快速热处理(RTA)虽然可以消除焦绿石相,但薄膜晶粒较小.Pt电极有利于钙钛矿结构的形成,Ti层厚度在20nm时,PLT薄膜取向最优.PLT薄膜的形成经历了岛状、网状、连续的过程,且随着膜厚的增加,薄膜逐渐从不连续转变为连续.
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