碳复合耐火材料中SiC晶须原位生长机理及最佳培养条件的研究

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主要针对当前功能型高级碳复合耐火材料中存在的强度低,抗热震性差的问题,讨论了SiC晶须作为增强增韧组元的可能性.针对当前存在的不同SiC晶须生长机理,设计实验考察了SiO<,2>-C系和Si-C系在N<,2>存在条件下合成SiC的情况,发现了一种新的生成SiC晶须的方法.测试结果表明,生成的SiC晶须为α-SiC,生长方式为台阶生长,没有发现明显的位错.SiC晶须的生长速度大于2-μm/s,最终长度一般在600μm左右;选择滑板用Al<,2>O<,3>-C复合耐火材料为基体,通过添加SiO<,2>、Si、鳞片石墨、膨胀石墨、活性碳等在不同焙烧温度和恒温时间下考察耐火材料基质内形成SiC的情况,测试结果表明,在Al<,2>O<,3>-C复合耐火材料内能够原位合成SiC晶须,这种方法中SiC晶须的生长机理为LS(液-固)机理,其最佳培养条件为在Al<,2>O<,3>-C复合耐火材料中引入金属Si和活性C,利用Si-C反应可以原位合成SiC晶须.添加适量的SiO<,2>可以在Al<,2>O<,3>-C复合耐火材料中引入气相,使晶须生长的传输条件改善.引入微量、超细的Al,Fe也能改善晶须的生长条件.烧成温度不低于Si合金的熔点.通过对有无SiC晶须增强的两种Al<,2>O<,3>-C复合耐火材料强度的测试结果比较,证实通过引入原位生长SiC晶须的后,使Al<,2>O<,3>-C复合耐火材料的强度有很大的提高.
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