【摘 要】
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发光二极管(LED)是直接将电能转化为可见光的固态半导体光源，具有低能耗、高亮度、长寿命、无污染、易集成、色彩丰富、低压安全、响应时间短等优点。因此，发展LED产业受到各国
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发光二极管(LED)是直接将电能转化为可见光的固态半导体光源，具有低能耗、高亮度、长寿命、无污染、易集成、色彩丰富、低压安全、响应时间短等优点。因此，发展LED产业受到各国政府的高度重视。在应用端的需求下，交流发光二极管的概念被提了出来，基于技术限制，目前美国、韩国和台湾的水平处于领先地位，大陆企业还处于起步研发阶段。
本论文从三个方面展开。第一，使用了加拿大Crosslight公司开发的半导体软件Apsys对LED进行了数值模拟，研究了量子阱个数对AlGaN替代GaN做为垒层的发光二极管的器件性能影响;第二，通过点胶、固晶、焊线等工艺把高压LED芯片和小功率红光芯片封装成交流LED灯珠，然后做成可以接市电的LED灯泡;第三，通过对交流LED领域的专利分析来研究交流LED的关键技术并对市场进行指导。通过对得到了一下结论:
1、通过模拟可以得到:量子阱的个数对LED的性能是有影响的。量子阱的个数不是越多越好，LED的光学性质和量子阱的个数并不成线性关系。量子阱个数太少时，电流溢出现象较明显。而当量子阱个数太多时，极化现象明显，且会造成材料浪费。因此应实际需要选择合适的量子阱个数。
2、在交流LED灯中加入红光芯片可以提高LED的显色指数，相应的，会使得发光效率有所下降。因此我们应该在高显色指数和高发光效率中间，选择一个合适的值来达到我们的实际要求。
3.采用独立反射杯会比采用整体反射杯的发光效率高，这是因为目前芯片的侧光大概在20％左右，而采用整体反射杯，芯片的侧光相互吸收，影响整个COB的光效。
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