【摘 要】
：
该论文研究了具有优良抗辐照性能的SOI材料与铁电膜及其器件的γ射线辐射效应.到得了以下主要的结果:对CMOS/SOI器件的辐照感生缺陷从理论上进行了分析和计算,详细讨论了以Si
【机 构】
：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
：
中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
论文部分内容阅读
该论文研究了具有优良抗辐照性能的SOI材料与铁电膜及其器件的γ射线辐射效应.到得了以下主要的结果:对CMOS/SOI器件的辐照感生缺陷从理论上进行了分析和计算,详细讨论了以SiO<,2>绝缘埋层为背栅的厚膜SOI器件和膜SOI器件在总剂量辐照环境中,绝缘介质的缺陷电荷对器件的影响.根据CMOS/SOI器件的辐照实验与理论分析,除在SIMOX的Si/SiO<,2>界面注F<+>外,独创性地在SiO<,2>埋层注入F<+>,再制成电容和CMOS/SOI器件,总剂量辐照实验研究表明,器件的抗辐照能力随着注F<+>剂量的增加而提高.研究了CMOS/FIPOS器件的总剂量辐照效应,随着辐照剂量的增加,的阈电压负向漂移,N沟器件的静态漏电流增大.研究了Pt/PZT/Pt铁电薄膜电容的γ射线辐照效应,在辐射过程中,由于辐照感生缺陷的影响,剩余极化和矫顽场增加,同时介电常数下降.首次研究了以LaAlO<,3>和YSZ为衬底的Au/PZT/YBCO铁电薄膜电容的辐照效应,结果表明,随着剂量的增加,这两种电容保留极化△P和介电常数ε衰减,但是,前一种的矫顽场E<,c>绝对值增大.后一种的矫顽场E<,c>产生负向漂移.研究了Au/PbTiO<,3>/YBCO铁电薄膜电容在不同偏压时的总剂量辐照效应.这些结果以铁电材料在辐照条件下的电荷堆积理论进行了解释.
其他文献
目的:分析冠心病心力衰竭应用美托洛尔联合曲美他嗪治疗的疗效及安全性.方法:以2018年4月至2019年6月为时间段,选取冠心病心力衰竭患者50例,随机分为2组,各25例.采取常规方法
地球同步轨道卫星对地观测具有视场范围宽阔以及实时性高等优点，对强灾害性天气现象的发生、发展以及消亡可进行有效地监测，能够弥补极轨气象卫星时效差的缺陷。但长期以来，地球
目的:奥氮平合并经颅磁治疗精神分裂症的临床应用.方法:选择2018年7月至2019年4月在本院接受治疗的精神分裂症患者160例作为研究对象,随机分为治疗组(n=80)和对照组(n=80),对
随着微电子技术发展，SOI技术已由特种抗辐射应用扩展到射频功放，开关等领域。SOI LDMOS凭借速度快、线性度好、与CMOS工艺兼容及全介质隔离等特性而成为最常用的功率器件之一。
本学位论文围绕空间遥感用InGaAs探测器的SE/EBIC缺陷检测展开了深入的研究。具体分析了不同类型InGaAs探测器上获得的SE/EBIC图像，并探索判断材料缺陷起源的方法以及建立缺陷
高温工艺在MEMS制作过程中广泛采用，微结构在温度场和应力场的作用下的力学特性影响到器件的性能，本论文对多物理场下微结构的力学特性进行了深入系统的研究。论文从宏观热力学
目的:探讨在小儿重症肺炎治疗中通过联用多巴胺与酚妥拉明的治疗价值.方法:对照组单纯应用多巴胺治疗,观察组加用酚妥拉明治疗.结果:观察组总有效率97.50％,对照组87.50％P＜ 0.05;
目的:对普外科患者出现伤口感染的原因以及临床治疗进行讨论分析.方法:本研究所选择的研究对象为我院普外科出现伤口感染的40例患者,对其临床资料进行回顾性分析,对其性别、
目的:分析更昔洛韦联合利巴韦林治疗小儿疱疹性咽峡炎的疗效.方法:选取我院收治的64例患有疱疹性咽峡炎的患儿作为此次的研究对象,选取时间为2017年3月-2019年3月间,将其按照