【摘 要】
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该文首先利用RHT-6000型半导体快速热处理设备,研究了在N的气氛下,Ti和Si以及Ti和SiO的反应情况,发现Ti和Si反应时,开始生成的是TiSi,随着温度的升高,逐渐有TiSi出现,当温度
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该文首先利用RHT-6000型半导体快速热处理设备,研究了在N<,2>的气氛下,Ti和Si以及Ti和SiO<,2>的反应情况,发现Ti和Si反应时,开始生成的是TiSi,随着温度的升高,逐渐有TiSi<,2>出现,当温度到达850℃时,Ti完全转化为TiSi<,2>;Ti和SiO<,2>在温度大于750℃时开始反应,生成钛硅化物和钛氧化物.同时还研究了钛及钛硅化物的腐蚀特性,发现NH<,3>·H<,2>O+H<,2>O<,2>(1:l)腐蚀液能很容易腐蚀Ti,而不腐蚀钛硅化物.在此基础上,开发出了自对准硅化物工艺.在该工艺中,经过低温退火、选择性腐蚀、高温退火后,同时生成了钛硅化物和钛氮化物,形成TiN/SiTi<,2>/Si结构.其中在多晶硅栅上的钛硅化物能大大降低多晶硅的连线电阻;而源漏处的钛硅化物是用作接触层,能有效的降低金属化系统中的接触电阻.TiN作为铝和硅的扩散阻挡层,阻止铝和硅的互扩散,防止铝钉的形成.将开发的自对准硅化物工艺应用于LPLV工艺,并对其特性进行了研究.
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