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来源 :北京大学 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
该文主要介绍作者有关GaN薄膜材料缺陷的研究,主要是线形位错方面的,并讨论了线形位错对其材料性质影响方式.GaN材料中存在着大量的缺陷,但其光、电等方面的性能仍保持良好,
【作 者】
:
史敬元
【机 构】
:
北京大学
【出 处】
:
北京大学
【发表日期】
:
2003年期
【关键词】
:
GaN
线形位错
X衍射
PL谱
迁移率
深层杂质
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