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近十年来，个人消费类电子及移动通信设备需求的迅猛增长促进了射频集成电路的快速发展。步入3G时代，以TD-SCDMA、WCDMA、CDMA2000为标准的第三代移动通讯技术无不对射频集成电路提出了更高的要求。横向扩散晶体管LDMOS(Lateral Difffised Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)以其高耐压、高增益、高跨导、宽动态范围、低失真和易于与低压电路工艺兼容等优点，成为射频功率放大器的主流技术。如今LDMOS已经发展到了第五代，设计人员通过不断改进器件的结构及工艺使得LDMOS器件适用的频率上限延伸至4GHz。优越的性能和高的性价比使得射频功率LDMOS器件仍然是3G时代基站射频放大器的首选器件。
本论文的主要工作包括以下几个方面：
1.深入调研LDMOS器件的历史背景和发展现状，学习LDMOS相关器件物理和关键技术。
2.利用ISE TCAD工艺仿真模拟办法，建立了射频功率LDMOS器件模型，比较研究了LDMOS器件击穿电压同漂移区浓度、长度、深度以及场板长度的关系。在此基础上，提出对漂移区进行两次注入的方法，并结合源极场板技术，设计LDMOS器件结构。模拟的漂移区两次注入SFP-LDMOS器件击穿电压达到94V，并且大大减小了漂移区导通电阻和源漏寄生电容，优化了LDMOS器件的直流和射频特性。
3.在研究大量文献的基础上，对PD SOI器件的低频过冲噪声和高频噪声产生机理进行分析总结，分析了BTS、LBBC型体接触对PD SOI器件噪声的抑制作用。