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高功率半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、寿命长等诸多优点，它主要应用于泵浦固体激光介质、激光加工、空间光通信等国防军事和工业领域。而高功率半导体激光器阵列中存在的键合应力会降低器件的工作寿命、造成阵列近/远场发生畸变、影响器件的偏振特性、使得阵列的整体性能恶化，从而影响其广泛应用。因此，对高功率半导体激光器阵列键合应力分布的研究和测量，有利于改善封装结构和工艺，进而提高器件性能，具有十分重要的实用价值和科学意义。
本文主要研究工作包括：
●对高功率半导体激光器阵列的远场发散角、“smile”测量和热阻测试中，提出利用CCD拍照法代替原有的旋转电机法来进行远场发散角测试；在“Smile”的测试实验中，主要从两种对“Smile”的近似条件出发，由测试数据计算实际“Smile”的值，并分析了垂直放置的慢轴发散透镜对结果的影响；提出了利用光谱偏移测量准连续工作高功率半导体激光器阵列热阻的不同计算方法。
●对半导体激光器阵列电荧光偏振度和应力关系进行了实验研究，测试了偏振度随驱动电流的变化趋势，定性地观测了外加压力和半导体激光器阵列电荧光偏振度的关系；对多个不同封装的半导体激光器阵列的电荧光偏振度进行了测试，检测到多个阵列的电荧光偏振度不均匀分布的现象，并对由此推测的应力分布进行了分析。
●对多个高功率半导体激光器阵列在不同驱动电流水平下的横向波长分布进行了实验测试，发现多个器件的横向波长呈“V”字型分布，还有少数的不规则分布，解释了封装后器件光谱展宽的原因，提出了线性应力分布模型，较好的解释了这种“V”型波长分布。