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本论文主要工作是利用高分辨率角分辨光电子能谱(ARPES)研究了高质量AxFe2-ySe2(A=K，Cs)单晶样品的电子结构。通过分析该体系的电子能带，发现AxFe2-ySe2(A=K，Cs)样品的能带有如下特征:它与122(母体如AFe2As2)体系有很大不同，目前在Γ点尚未探测到明确的空穴型费米面，相反存在着一个电子型费米面;在M点附近有两条简并电子型能带。从而导致需要Γ点空穴型费米面与M点的电子型费米面带间跃迁配对的S±理论失效。