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近年来，有机电子学方面的研究取得了很大的进展，作为有机电子学中的一个最基本器件，有机薄膜晶体管一直是研究的热点之一。随着器件迁移率的不断提高，器件的稳定性近年来受到了更多的关注，但对于引起其不稳定性，尤其是在栅极偏压下阈值电压发生移动的物理机制还不够深入。本论文主要对并五苯薄膜晶体管在栅极偏压下阈值电压移动的现象进行了研究。通过研究并五苯的生长模式，结合有机薄膜晶体管沟道中的缺陷分布特点，将本课题组成功用于描述有机薄膜晶体管中载流子行为的二维晶粒边界模型用于解释栅极偏压下阈值电压的移动量和并五苯薄膜初始生长层薄膜形貌的关系。
本论文主要包括以下几个部分:
1.简单介绍论文的研究背景，对当前关于有机薄膜晶体管在栅极偏压下的稳定性的研究现状进行简单的归纳。
2.研究了并五苯薄膜的生长特性，发现通过控制生长条件，在不同生长速率下，薄膜初始生长层都以二维模式生长。结合有机薄膜中的缺陷分布特点，将二维晶粒边界模型应用于解释栅极偏压下阈值电压的移动与薄膜初始生长层晶粒大小的关系，得到相关的关系式。
3.应用二维晶粒边界模型，结合实验结果，研究了并五苯薄膜晶体管中栅极偏压下阈值电压移动量与并五苯初始层薄膜形貌的关系。通过实验数据的拟合，得出了相关参数，数值合理。
4.改变施加栅极偏压的时间，结合二维晶粒边界模型，通过实验数据的拟合，得出对于并五苯薄膜晶体管，载流子被深缺陷态俘获的难易程度与初始生长层薄膜的形貌有关系的结论。