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氮化铝(AIN)薄膜材料是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,因具有多方面的独特性能,而在光电、微电子、压电以及材料保护领域有着广泛的应用前景.当前制备AIN薄膜的方法主要有化学气相沉积法、有机化合物气相沉积法、射频溅射法和激光脉冲熔融沉积法等,但所有的这些方法都有各自的不足.该文提出了使用气体放电辅助反应式激光脉冲溅射沉积法用于制备AIN薄膜,并对所淀积的薄膜在微观结构、光电特性及稳定性方法做了详细的分析研究.