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本文首先介绍了脉冲功率技术的基本概念和脉冲功率系统中传统开关器件与半导体开关器件的优缺点。反向开关晶体管RSD(Reversely Switched Dynistor)是一种基于可控等离子体层原理的新型脉冲功率器件。相比于传统半导体开关器件,RSD具有正向阻断电压高、通流能力强、高di/dt、长寿命和重复率高等特点。这些特点使其在脉冲功率系统中具有良好的运用前景。为了更加清晰的认识器件机理,指导器件优化设计从而提高器件性能,需要对RSD进行较为准确的测量,并且通过建立模型分析和模拟其特性。RSD是一种阴阳极都带有短路点的pnpn四层结构器件。本文介绍了RSD器件的基本工作原理,分析了工作过程。从基本的半导体理论出发,介绍了Grekhov模型与其改进模型,推导了RSD预充与导通过程中等离子体分布的解析表达式和电场、电压表达式。本文对RSD器件传统电压测量方法存在的问题进行了分析,并提出基于器件串联降压和电路并联增流的测量方案。本文采用串联分压的方法设计实验获得了RSD较为准确电压波形。并通过在不同的分压比下的测量验证了测量方案的可靠性。本文基于半导体物理基本方程,在二维元胞单元上利用有限差分的方法建立了RSD器件的数值模型。模型考虑了载流子间散射、SRH和俄歇复合、碰撞电离等物理效应。采用实验电路提取的参数建立了RSD谐振预充触发电路的外电路模型。联合器件数值模型和谐振触发外电路模型,利用matlab语言采用Runge-Kutta和Newton迭代的方法求解并获得了器件瞬态载流子分布和电压电流波形。本文在对比实验结果的基础上,解释并说明了模型的有效性和误差的产生原因。基于载流子和电流分布变化数据,详细分析了RSD预充和开通过程。发现了预充过程中存在的强烈俄歇复合现象和电流抽取现象将导致预充电流注入的等离子体大量减少,因此不宜直接采用电流时间积分值计算预充电荷总量。同时,器件开通过程中p基区载流子减少显著,阴极载流子再注入补充等离子体相对阳极慢很多,因此阴极结构对器件的开通性能的影响更大。以上结果可指导RSD器件的设计与运用。