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采用脉冲激光沉积（PLD）方法制备了Zn0.98Co0.02O薄膜,研究了Zn0.98Co0.02O薄膜铁磁性的起源。在此基础上,利用PLD方法制备了Zn0.98Co0.02O/PbZr0.52Ti0.48O3稀磁半导体/铁电体异质结,探讨了电场对Zn0.98Co0.02O/PbZr0.52Ti0.48O3异质结铁磁性的调制。主要的研究内容与结果如下:1、Zn0.98Co0.02O薄膜的制备与铁磁性研究采用PLD方法分别在450、550和650oC衬底温度（Ts）下制备了Zn0.98Co0.02O薄膜。利用X射线衍射（XRD）、磁力显微镜（MFM）、超导量子干涉仪（SQUID）和扩展X射线精细吸收（EXAFS）等方法表征和分析了薄膜的成份、磁性能和Co离子在ZnO母体中的局域结构,探讨了Zn0.98Co0.02O薄膜的铁磁性起源。MFM结果表明所制备的Zn0.98Co0.02O薄膜不存在明显的磁杂质;SQUID分析表明Zn0.98Co0.02O薄膜的室温铁磁性随着衬底温度升高而减弱;扩展X射线精细结构吸收分析结果发现,随着衬底温度的升高,Co的精细结构由替位形式的Zn（Ts<650oC）转变为Co3O4杂相（Ts≥650oC）。最后,采用了束缚磁极子模型解释了Zn0.98Co0.02O薄膜的铁磁性起源。2、Zn0.97Al0.03O缓冲层对Zn0.98Co0.02O薄膜铁磁性的影响选用Zn0.97Al0.03O作为缓冲层,采用PLD方法在450、550和650oC衬底温度下制备了Zn0.98Co0.02O薄膜。扫描探针显微镜I-V测试结果表明Zn0.97Al0.03O缓冲层的电阻约为155?;MFM研究结果表明Zn0.97Al0.03O缓冲层没有明显的磁杂质;SQUID的结果说明Zn0.97Al0.03O缓冲层可以提高Zn0.98Co0.02O薄膜的铁磁性。最后,采用束缚磁极子模型解释了Zn0.97Al0.03O缓冲层对Zn0.98Co0.02O薄膜铁磁性的增强机制。3、Zn0.98Co0.02O/PbZr0.52Ti0.48O3异质结的制备及其铁磁性的电场调制以Zn0.97Al0.03O为缓冲层,采用PLD方法在20、50和200mTorr氧气压强下制备了Zn0.98Co0.02O/PbZr0.52Ti0.48O3稀磁半导体/铁电体异质结。XRD测试结果表明,随着氧气压强的增大,异质结的结晶性增强;MFM结果表明,异质结中出现了室温铁磁性的条形磁畴;压电力响应显微镜（PFM）测试结果说明,Zn0.98Co0.02O/PbZr0.52Ti0.48O3异质结具有良好的压电性;通过SQUID观察到了异质结铁磁性的电场调制效应,探讨了其调制机理。