【摘 要】
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我们制备了两种不同发光起源的多孔硅样品，细致的PL和PLE谱测量显示其发光分别起源于界面氧相关缺陷态和表面Si=O键合态.对于来自于表面态发光的多孔硅在C偶联以后，出现钉扎在5
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我们制备了两种不同发光起源的多孔硅样品，细致的PL和PLE谱测量显示其发光分别起源于界面氧相关缺陷态和表面Si=O键合态.对于来自于表面态发光的多孔硅在C<,60>偶联以后，出现钉扎在590nm左右的PL峰和367nm的PLE峰不随监控波长而改变，表明表面态的发光被表面氧相关缺陷态的发光所代替.对比相应的多孔硅样品，在C<,60>偶联样品的FTIR谱中可以明显地观察到Si-H<,x>（x=1-3）键的消失、Si-Si键强度的增加以及Si-O-Si键强度的减少，表明多孔硅表面Si=O键合态被破坏同时氧相关缺陷态产生，导致多孔硅的发光机制从表面态向缺陷态的转变.除了590nm的橙光发光峰外，C<,60>偶联多孔硅系统在空气中保存超过三个月后还发现了460-480nm范围内的强蓝光发射.～100nm的Stokes位移和PLE峰随监控波长的漂移表明载流子的光激发发生在量子限制的硅晶粒的核心而复合过程在弛豫的表面态上进行.通过检测不同条件下退火样品的PL、PLE和FTIR谱，我们推论载流子的辐射复合来自于由一个氧空间和一个跟晶格氧形成过氧连接的间隙氧组成的发光中心，中子辐照后蓝光发光强度的增加证实了这种发光中心的存在.
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