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随着便携设备的兴起、全球能源需求量的不断增长，如何提高资源的有效利用率将变得越来越重要。由于SOI-LDMOS功率器件具有速度快、集成度高、功耗小等优点使得SOI-LDMOS器件越来越广泛的用于功率转换开关电路。而如何降低影响SOI-LDMOS器件开关时间的栅漏电荷QGD将是本文的研究重点。 本文首先研究了常规槽型SOI-LDMOS器件和延长漏槽型SOI-LDMOS器件的正向导通电阻与反向击穿电压。利用仿真软件Medici对栅漏电荷QGD、导通电阻Ron、击穿电压BV与器件结构参数之间的关系进行仿真。通过仿真得出延长漏槽型SOI-LDMOS器件相较于常规槽型SOI-LDMOS器件击穿电压BV提高了52.18％;导通电阻Ron降低了8.8％;栅漏电荷QGD提高了41.7％，进而对后文栅漏电荷QGD的优化起理论指导作用。 最后提出了单场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件和双场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件，其主要优点如下所示:1）单场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件较常规槽型SOI-LDMOS器件、延长漏槽型SOI-LDMOS器件的栅漏电荷QGD和优值FOM(Fingure-of-Merit)分别降低了7.1％、45.9％和56.8％、42.2％;2）双场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件较常规槽型SOI-LDMOS器件、延长漏槽型SOI-LDMOS器件的栅漏电荷QGD和优值FOM分别降低了77.2％、86.72％和85.7％、80.9％。 综上所述，本文提出了两种降低栅漏电荷QGD的器件，即单场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件和双场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件，不仅完成了对上述器件直流特性的仿真，而且完成了对器件栅漏电荷QGD之间的仿真以及栅漏电荷QGD与器件参数的变化趋势，并验证其特性。