【摘 要】
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We theoretically investigate electron emission during femtosecond laser ablation of single-layer metal(copper)and double-layer structures.The double-layer structure is composed of a surface layer(copp
【机 构】
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吉林大学原子与分子物理研究所,长春 130012
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We theoretically investigate electron emission during femtosecond laser ablation of single-layer metal(copper)and double-layer structures.The double-layer structure is composed of a surface layer(copper)and a substrate layer(gold or chromium).
其他文献
GaAs光电导开关(GaAs PCSS)是超快脉冲激光器与光电半导体相结合形成的一类新型器件,在超高速电子学、THz技术等领域具有广阔的应用前景。特别是当需要兼顾输出电脉冲的超快上升沿、超短脉宽、高重复频率、抗电磁干扰等方面时,GaAs PCSS是众多开关中的最优选择。
压电材料(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-xPT)在准同型相界(Morphotropic Phase Boundary)附近组分区域具有优异的压电性能,吸引了诸多的理论及实验研究,然而,MPB区域优异压电性能的起源仍然没有一个完整的解释。
Novel ferroelectrics have potentially higher performance for particular applications,as well as potential compatibility with other functional properties such as magnetism,yielding multiferroics and ot
纹影技术作为一种通过光的折射来观察并研究流场的相应物理性质(如折射率，密度梯度，温度分布等)的技术，在很多领域做出了卓越贡献。传统纹影由于对实验环境，制作工艺，空间的苛刻要求，其应用和发展因此受到了限制[1]。
隧穿电离是高次谐波产生、阈上电离等强场超快物理现象的启动者。对线性偏振的飞秒激光脉冲，隧穿电离非常灵敏地依赖于激光场的相位。改变多周期双色激光场的相位差或者少周期激光场的载波包络相位，就可以改变强激光场下的电子动力学过程，改变强场物理现象。
斯格明子(skyrmion)晶体通常源于非共线的Dzyaloshinsky-Moriya(DM)相互作用[1]。斯格明子晶体具有新颖的物理现象和较强的应用前景，是近几年国际上的研究热点之一。但是斯格明子晶体稳定的相图却比较有限，通常仅存在于低温和有外磁场的情况下[2]。
由于Fe4N具有大的饱和磁化强度，低的矫顽力以及高化学稳定性和自旋极化率，所以在自旋电子学应用中是一个很好的电极材料。此文章采用第一性原理的方法细致的研究了Fe4N的电子结构和磁学性质，进而在此基础上采用密度泛函理论和非平衡格林函数方法研究Fe4N/MgO/Fe4N磁性隧道结的隧穿磁电阻和与自旋相关的输运性质。
由铁磁性金属和铁电/多铁性氧化物组成的异质结构很有希望在下一代具有数据非易失性、低功耗的磁电随机存储器(Magnetoelectric Random Access Memories,ME-RAM)中得到应用。在这种磁电存储器中,铁磁材料的磁化状态可以由施加在铁电/多铁性异质结构存储单元上的电场来调控,其核心的电控磁操作是利用金属/氧化物界面的应力/自旋耦合来实现的。
近年来,双光子吸收效应在众多领域中展现出良好的应用前景,所以测量双光子吸收系数的实验研究也成为非线性光学的前沿课题之一.1989年,Sheik-Bahae等人第一次介绍了一种测量材料非线性折射率的技术：Z扫描技术[1].
分子间氢键在调制光化学和动力学过程中起着非常关键的作用[1]。光激发转变着参与形成氢键分子的供体和受体的电荷分布。激发态氢键动力学最早被Nibbering及合作者们所探测，他们选择了香豆素102作为分子受体，使用诸如苯酚在非极性溶剂四氯化碳作为供体。