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由铁磁性金属和铁电/多铁性氧化物组成的异质结构很有希望在下一代具有数据非易失性、低功耗的磁电随机存储器(Magnetoelectric Random Access Memories,ME-RAM)中得到应用。在这种磁电存储器中,铁磁材料的磁化状态可以由施加在铁电/多铁性异质结构存储单元上的电场来调控,其核心的电控磁操作是利用金属/氧化物界面的应力/自旋耦合来实现的。